芯科半导体

浙江芯科半导体有限公司是中国碳化硅（SiC）第三代半导体掺杂技术研究及器件研发、设计、制成、应用、销售为一体的机构。是致力于大功率半导体芯片结构设计和外延生长、MOSFET、IGBT芯片设计与应用、第三代半导体功率器件封装与散热的倡导者。芯科公司致力于中国芯片半导体功率器件制造产业的发展，并向全球功率器件消费者提供优质的半导体功率器件产品和服务。

公司坐落于浙江省杭州市富阳区春江街道江南路68号。园区环境优雅。

公司实力

公司基础核心产品以SIC肖特基二极管、MOSFET管为代表，其中600V/2A-100A，1200V/2A-50A，1700V/5A-50A，3300V/0.6A-50A等系列的碳化硅肖特基二极管、MOSFET管产品已经投入批量生产，产品质量完全可以比肩国际同行业的先进水平。芯科公司通过与产业同行、科研院所、国内外专家共同探索与开发，正在将SiC功率器件推广到更多更广的应用领域。

技术优势

准掺杂外延生长 1、提出了第三代半导体掺杂机理，实现相关模拟计算 2、控制温场和流场分布、降低缺陷并增加外延厚度，获得均匀的SiC同质异性外延厚度高于200μm；获得器件的击穿电压高于20kV，载流子迁移率高于15cm2/V·s，正向电流密度高于100A/cm2 3、采用高速-低速，高温-低温，单源-多源的有机结合，实现半导体精准可控掺杂SiC功率器件得到了国家青年“973“项目的支持 1、成功研制国内第一批工业化SiC基MOSFET功率器件 2、国内第一个10kV p沟道SiC IGBT器件 3、国际上率先将1200V SiC肖特基二极管应用到电动汽车充电桩中SiC MOSFET器件研究进展 成功研制600V和1200VSiC基MOSFET，性能达到国际水平，其中1200V 100mΩMOSFET为中国第一个产业化产品。